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SiC是一種新型陶瓷，由于高密度成形技術(shù)的發(fā)展，80年代開始，國外紛紛用它做高PV值的組對材料，是到目前為止發(fā)現(xiàn)的最好的摩擦副材料，具備各種優(yōu)良性能。重量輕，為WC的1/5，強度高，摩擦系數(shù)小，硬度略高于硬質(zhì)合金，HRA90～94，抗輻射性好，具有一定的自潤滑性，組對性好，化學穩(wěn)定性、耐熱性、熱傳導性都很優(yōu)異。在500℃以下，幾乎耐所有的酸和堿，除振動沖擊大，或有顆粒介質(zhì)場合外，幾乎所有的硬質(zhì)合金都可用它取代，價格略比WC便宜。
缺點：脆性材料，抗機械沖擊性稍差。
由于制造工藝不同，性能略有差異，目前主要有4種類型：
1、反應燒結(jié)SiC（SiC+Si組對的致密燒結(jié)物）
【（α-SiC粉+石墨粉+助溶劑）混合+有機粘結(jié)劑】壓制成型，放入Si粉坩堝內(nèi)，在真空爐加熱1600～1800℃，生成β-SiC。這種SiC由α-SiC、β-SiC、游離硅組成，由于游離硅和孔隙的存在，它不耐強堿和氧化性介質(zhì)。
優(yōu)點：收縮率小，耐熱沖擊性好，成本低，適于批量生產(chǎn)。
2、常壓燒結(jié)SiC
采用超細SiC粉（粒度0.1～0.2μm），加適當?shù)奶砑觿?、粘結(jié)劑壓制成型，然后在2000～2200℃的溫度下燒結(jié)而成。適用于數(shù)量少，規(guī)格品種多的密封環(huán)。質(zhì)密度高達97%以上。
3、熱壓燒結(jié)SiC
粒度≤1μm的SiC，加上適當?shù)奶砑觿?，裝入石墨模具內(nèi)，在2000～2200℃的熱壓爐內(nèi)加壓（30～50MPa）制成。這是SiC中化學穩(wěn)定性最好的一種。（因為在氧化氣氛下，表面生成一種SiO2保護膜，耐腐蝕性最好。）質(zhì)密度高達97%以上
4、氣相滲透SiC（又叫硅化石墨）
以石墨為基體，按最終產(chǎn)品形狀加工好后，導入Si源，采用化學氣相沉積法在1800～2200℃的高溫下反應生成。滲透層厚度可達1.5mm，成SiC表層，表層還有10%的石墨，具有氣體不滲透性，C、Si之間無明顯的邊界層。這種SiC既具有碳石墨優(yōu)點，又具有SiC特性，是一種很有前途的碳基復合材料。氣相滲透SiC與常壓燒結(jié)SiC組對，可用于高速場合，即使處于半干摩擦工況條件下也不易產(chǎn)生卡澀與與擦傷。
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